Foundry 3사 EUV 공정 및 차세대 경쟁 구도 심층 분석

반도체 미세화의 한계를 돌파하기 위한 EUV(Extreme Ultraviolet) 노광 공정은 이제 파운드리 생태계의 '생존권'이 되었습니다. 2026년 현재, 글로벌 3사(TSMC, 삼성전자, 인텔)의 EUV 적용 현황과 향후 기술 로드맵을 심층 비교합니다.

1. TSMC: 점진적 혁신과 견고한 생태계 (N7+ to N2)

TSMC는 EUV 도입에 있어 가장 보수적이었으나, 현재는 가장 안정적인 수율을 확보하고 있습니다.

N7+ / N5: 세계 최초로 EUV를 양산에 적용하며 Apple, NVIDIA 등의 핵심 칩을 독점 생산 중입니다.
N3P / N3X: 기존 FinFET 구조를 극한까지 끌어올린 FinFlex 기술을 통해 전력 효율과 성능을 동시에 잡았습니다.
N2 (GAA): 2025년 하반기 양산 예정이며, TSMC 최초의 GAA(Gate-All-Around) 도입이 될 것입니다. 이미 Apple과 대규모 계약을 마친 것으로 알려져 있습니다.

2. 삼성전자: 세계 최초 GAA 승부수 (3GAP to 2nm)

삼성전자는 TSMC보다 먼저 차세대 구조인 GAA를 도입하며 기술적 역전(Leapfrogging)을 노리고 있습니다.

3nm (SF3/3GAP): 세계 최초로 MBCFET(Multi-Bridge Channel FET) 구조를 적용했습니다. 나노시트의 폭을 조절하여 성능과 전력을 최적화하는 것이 핵심입니다.
수율(Yield) 과제: 초기 수율 확보에 어려움이 있었으나, 현재는 고객사 실장 데이터를 통해 안정화 단계에 진입하고 있습니다.
2nm (SF2): 2025년 양산을 목표로 하고 있으며, 3nm에서의 GAA 경험이 2nm 경쟁에서 강력한 우위 요소가 될 것으로 전망됩니다.

3. Intel: '4년 내 5개 노드' 공격적 복귀 (Intel 4 to 18A)

인텔은 파운드리 시장 재진입을 선언하며 가장 공격적인 로드맵을 제시하고 있습니다.

Intel 4 / 3: EUV를 본격적으로 적용하기 시작한 노드이며, 자사 CPU(Meteor Lake 등) 생산을 통해 신뢰성을 검증 중입니다.
Intel 20A / 18A: 핵심은 PowerVia(후면 전력 공급) 기술과 RibbonFET(GAA)입니다. 후면 전력 공급은 신호 간섭을 획기적으로 줄이는 기술로, TSMC보다 앞서 도입할 계획입니다.
High-NA 선제 도입: ASML의 차세대 EUV 장비인 High-NA를 가장 먼저 구매하며 '0.55 NA' 시대를 선도하겠다는 의지를 보이고 있습니다.

4. 핵심 기술 비교 요약 (Table)

구분	TSMC	삼성전자	인텔
GAA 도입 시점	2nm (2025)	3nm (2022)	2nm (20A, 2024)
전력 공급 방식	전면 (2nm+)	전면 (2nm)	후면(PowerVia, 18A)
EUV 전략	안정적 수율 우선	선제적 기술 도입	차세대 장비(High-NA) 확보
핵심 강점	압도적인 에코시스템	GAA 원천 기술 경험	패키징(Foveros) 결합력

결론: 2026년, 누구나 2nm를 말하지만...

이제 파운드리 경쟁은 단순히 회로 선폭뿐만 아니라 GAA 숙련도, 후면 전력 공급 방식, 그리고 High-NA 장비 활용 능력에서 결정될 것입니다. 25년 차 엔지니어로서 볼 때, 삼성의 GAA 경험치와 인텔의 후면 전력 공급 도입 속도가 TSMC의 아성을 얼마나 위협할지가 향후 5년의 핵심 관전 포인트입니다.